隨著AI技術邁入全速進化期，從生成式模型到邊緣運算應用的推陳出新，背後所仰賴的不只是演算法的突破，更是一場關於晶片效能的深度變革。而這場變革的核心，正悄然轉移至先進封裝技術的領域，特別是由台積電領軍的SoIC（三維異質整合）封裝技術，正重新定義未來運算架構的可能性。

SoIC技術的精髓在於其「垂直整合」的設計哲學。不同於傳統橫向布建的晶片結構，SoIC透過Hybrid Bonding將多顆裸晶如高樓般堆疊，實現近乎零距離的訊號傳遞與超高密度的互連效能。不僅壓縮晶片面積，更大幅降低功耗與延遲，對AI晶片而言，可謂量身打造的最佳解方。

然而，這項高度整合的封裝創新也帶來製程上的重大挑戰。晶片之間要實現牢固又高效的鍵合，不能僅靠物理接觸，更須進行原子級的表面活化處理（Plasma Activation），以提升接合品質與良率，突顯電漿技術的關鍵角色。

電漿的作用，不只是將晶片表面的有機殘留與氧化層剝除，更能藉由激發表面原子鍵，提升材料的反應活性，使晶片之間在低溫環境下依然能完成高強度的直接鍵合。換言之，電漿表面處理技術已成為實現高良率SoIC製程的重要助力。

身為國內少數深耕電漿製程平台的關鍵業者-暉盛科技，早已洞察這股技術趨勢。在Hybrid Bonding、FOPLP、FOWLP等先進封裝領域上，暉盛推出了一系列模組化的電漿解決方案，具備奈米等級的精密活化與高均勻性表面處理能力，成為SoIC製程中不可或缺的製程基礎。

尤其在FOPLP（扇出型面板級封裝）製程中，暉盛的設備可支援超過850x750mm的大面積面板處理，不僅滿足高產能需求，亦能因應異質材料與複雜堆疊結構的封裝設計，提供靈活、穩定且可整合的解決方案。

在材料創新方面，暉盛亦積極投入ABF載板與玻璃基板的乾式蝕刻與介面處理，協助客戶從材料端一路優化至封裝階段，實現高速訊號傳輸、高信賴度、高整合度的一站式封裝平台，為AI與高速運算時代提供強而有力的後勤支援。

從製程環節的背後英雄躍升為推動晶片封裝革新的主角，電漿技術正改寫AI晶片效能極限的邊界。暉盛科技也將持續以系統化、模組化的電漿平台與全球半導體業者攜手，加速導入SoIC、擴大先進封裝的商業版圖，共同啟動AI時代的新一輪效能革命。